实现大尺寸超高分辨率、高刷新率及高透过率显示，面临诸多挑战。当前，采用电子迁移率更高的Oxide背板+1G1D，以及a-Si背板+2G2D（行时间加倍）像素设计方案，是业界实现大尺寸8K4K高刷新率显示的两大技术路线。
但由于目前绝大多数TFT-LCD产线都是基于a-Si背板工艺，所以，从成本和普及率等方面考虑，基于a-Si背板工艺技术实现突破成为业界的重要方向。然而，由于在a-Si基板上采用2G2D方式，即Data布线数量加倍，一方面Source Driver（数据驱动IC）数量加倍，另一方面开口率/透过率极大降低，影响显示亮度及功耗。
因此，采用a-Si背板及高透过率1G1D设计实现大尺寸 8K4K高刷新率显示，成为一种更为合理的方案。但一直以来，该方案都被业界认为难度极大。如何破解？
京东方技术团队，基于雄厚的半导体显示技术积累，突破性地在a-Si基板上实现了大尺寸、高分辨率、超高刷新率的1G1D像素驱动解决方案，突破了充电率的限制。
京东方8K 240Hz 1G1D技术，加持了充电率与画质大幅提升的EPQ技术、面板内充电补偿实现倍频的HSR技术，通过栅电压关断复位提速、数据时序动态调整、新型GOA结构设计、新型像素结构设计及新型数据驱动算法等多项技术创新，突破了充电率与画质同步提升的技术瓶颈，率先实现了8K 240Hz a-Si 1G1D超高分辨率、高刷新率的显示技术。与常规8K 60Hz产品相比，该技术透过率提升接近30%，对比度提升接近两倍。京东方8K 240Hz 1G1D技术作为驱动能力提升和至臻画质显示的平台技术，可应用于全系列超高清显示产品分辨率和刷新率升级，为用户提供更佳视觉体验。
接下来，京东方将持续优化8K 240Hz a Si 1G1D显示技术，依托领先的G10.5、G8.5高世代线工艺水平，覆盖98英寸、110英寸等更大尺寸级产品，将“大屏风暴”推向业界新高度，为用户提供更美的显示。
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