普乐斯等离子清洗机观察，三星曾在去年宣布，将在未来10年内在包括代工服务在内的其逻辑芯片业务上投资上千亿美元，以期望能够超越台积电，成为全球第1大芯片代工厂。而EUV是三星试图超越台积电的一大杀手锏，在7nm工艺上就已经率先得到使用了。按其计划，到今年底V1生产线投资金额将达到60亿美元。为了支持三星达成2030年南韩成为全球晶圆代工第1、IC设计市占率10%目标。
通过大量资金的投入，三星也率先公布了其在3nm上的进展。2019年三星宣布将在3nm节点放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管工艺。据了解，采用GAA技术的3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗下降50%，性能提高35%。据韩媒报道，三星电子已经成功开发了业界第1个3nm制程，预计将于2022年开启大规模量产。
与三星相比，台积电在3nm方面的消息比较少。另外英特尔在3nm上的消息则几乎没有。在投资方面，据有关报道称，台积电3nm工艺总投资500亿美元，其中，建厂方面就将投资至少200亿美元。在生产计划方面，据外媒报道称，受新冠肺炎疫情的影响，台积电3nm试产线安装被迫延后，原定6月装机的安排将延迟到10月。在技术方面，台积电相关3nm的消息还不十分明确。台积电3nm更详细的消息或将在其技术论坛上公布，但据近期的报道显示，台积电原定于相4月29日的技术论坛将推迟到8月24日举行。以此来看，在今年晚些时间我们才能真切看到台积电在3nm技术上的进展。
本文来源：半导体行业观察 作者：蒋思莹
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