普乐斯等离子体清洗机行业观察,台积电和交大强强联手,研发出全球厚度仅有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体,有望借此进一步研发出2纳米乃至1纳米的电晶体通道,论文这个月成功登上國際期刊自然期刊(nature)。
国立交通大学电子物理系张文豪教授研究团队在科技部长支持下,与台积电合作,合作研究研发出全球zui薄、厚度仅0.7纳米、大面积晶圆尺寸的二维半导体材料绝缘层,台积电表示,关键所在是单晶氮化硼技术的重大突破,今后有望通过这项技术,进一步研发出2纳米乃至1纳米的电晶体通道。
现阶段台积电正在推动3纳米的量产计划,指的就是电晶体通道尺寸,通道做的越小,电晶体尺寸就能越小,而在持续微缩的过程中,电子就会变得越来越难传输,导致电晶体无法有效工作,现阶段二维半导体材料是如今科学界认为zui有可能解决瓶颈的方案的一种。
二维半导体材料特性就是很薄,平面结构仅有一两个原子等级的厚度,但也因而传输中的电子容易受环境影响,因此要绝缘层来阻绝干扰,现阶段半导体使用的绝缘层多半是氧化物,通常做到5纳米以下就非常困难,无法小于1纳米,团队研发出的单晶氮化硼生长技术,成功达成0.7纳米厚度的绝缘层。
台积电技术主任陈则安,为清大化学系博士,他表示,单晶指的是单一的晶体整齐排列,单晶对於将来半导体结构比较有帮助,因为假设绝缘层不是单晶结构,中间会出现很多缺陷,电阻经过的时候可能被缺陷影响,导致效能变差,实验也已证实会有影响,将来还要更多研究。
台积电处长李连忠曾经是中研院原分所研究员,他表示,台积电研究团队经过基础研究后,寻找问题和突破可能性,跟交大化学气相沉积实验室合作,让氮化硼单晶在铜上生长,作为保护二维半导体材料的通道,现阶段无法说明量产时间,也有很多关键技术要突破,比如金属接触和元件优化,可是确实对於将来电晶体尺寸再变小将有帮助。
将氮化硼转移至矽晶圆上,蓝色可见部分为支撑膜。
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