为了提升密度，闪存厂商们拼了，等离子清洗机可以助力闪存发展吗？

在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。在此趋势下，全球NAND Flash存储容量持续保持增长，2020年存储容量达到5300亿GB，预计2022年将达6110亿GB。
随着存储容量的不断增长，NAND Flash存储原厂的产品生产工艺也在不断发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、闪存堆叠层数等都经历了较大的技术迭代和发展。

发展至今，目前全球NAND Flash市况如何？各大玩家取得了哪些进展？以及在提升NAND闪存密度方面，行业厂商正在进行哪些努力，市场未来又将走向何方？等离子清洗机行业在芯片领域应该如何发力，什么样的等离子清洗机设备能更好的解决芯片的表面处理难题？

为了提升密度，闪存厂商做了哪些努力？

回顾3D NAND闪存的发展历程，东芝最早在2007年提出了此概念，并表明NAND闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND闪存，并投入量产，代表着3D NAND闪存从技术概念走向了商业市场。
三星第一代V-NAND闪存采用了三星电子独创圆柱形3D CTF和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3D NAND（48层）量产产品比三星晚了整整三年。
有数据统计，2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND 将占闪存总市场的97.5%。
自从NAND闪存进入3D时代，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高。在3D NAND技术赛跑中，存储厂商从最初的24层、32层，一路堆到了128层、176层，甚至200+层。层数越高，NAND闪存可具有的容量就越大，增加层数以及提高产量也是衡量技术实力的标准。
前不久，美光宣布其232层NAND闪存芯片实现量产，这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。

芯片制程“双刃剑”

此外，NAND的制程是另一个影响NAND存储密度的关键因素。2D NAND从早期50+nm到19nm，最后发展到了16/15nm，每次制程的升级都将NAND存储密度提升到新的高度，但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
从TechInsights闪存路线图中获悉，2D NAND闪存以工艺制程演进为评判标准，而迈入3D NAND之后，工艺制程演进相对缓慢，堆叠层数取代工艺制程成为新的介质进化标准。
从各厂商的技术蓝图来看，NAND Flash堆叠层数预计在2022年将达到2XX层，而工艺制程则可能停留在20nm左右。

写在最后

NAND闪存的概念可以追溯到上世纪80年代，而真正步入发展轨道则是从2000年开始。
从WSTS公布的出货量数据来看，NAND闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，NAND闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，NAND闪存出货量随之增加。
从NAND闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，NAND闪存市场需求持续上扬，出货量以线性趋势持续增加
在 NAND闪存扩展饱和后，随着大数据、物联网、数据中心等新兴市场的发展，三星、英特尔、铠侠、西部数据、长江存储等一系列闪存厂商再次纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺NAND闪存市场的主导权。

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