普乐斯等离子清洗设备行业观察，三星规划利用3纳米工艺制造芯片

普乐斯等离子清洗设备行业观察，该报导称，李在镕参观了三星电子地处京畿道华城的半导体研发中心。这也是李在镕在2020年的第1个官方行程，在此期间他听取了三星电子3nm制程技术报告，并且跟半导体部门主管探讨了全新一代半导体战略。

据称，李在镕探讨了三星规划运用正研发中的新式3nmGAA制程技术来制造尖duan晶片的规划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小体积。

去年4月三星电子完成了运用EUV的5nmFinFET制程技术的研发。现如今该公司正研究下一代制程技术。三星电子表示，与5nm制程相比，3nmGAA技术的逻辑面积效率提升了35%以上，功耗减低了50%，性能提升了约30%。

这一举动也照应三星之前所讲的，将全力进攻非DRAM与NANDFlash晶片的半导体市场，在去年，三星宣布了一项折合高达1118.5亿美元的投资计划，目的是要让三星可以成為世界上zui大的半导体芯片制造商。

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