当前，以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸，当前环境下，与硅晶圆相比，SiC晶圆的生产难点会在哪里？普乐斯小伙伴给大家收集了一些资料，一起来看一下。
据介绍：“与硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生产的主要差别在高温工艺上，例如高温离子注入，高温氧化，高温激活等，以及这些高温工艺所需求的hard mask（硬掩模）工艺等。”而高温工艺关乎着SiC的良率，这也是各大SiC厂商所着力研发的关键环节之一。
除了与硅晶圆在生产工艺上有所差异以外，在SiC从6英寸向8英寸发展的过程中也存在着一些差异。“在功率半导体制造的离子注入、薄膜沉积、介质刻蚀、金属化等环节，8英寸碳化硅与6英寸SiC的差距不大。”某博士指出：“8英寸SiC的制造难点主要集中在衬底生长、衬底切割加工、氧化工艺。其中，衬底生长方面，扩径到8英寸，对衬底生长的难度会成倍增加；衬底切割加工方面，越大尺寸的衬底切割应力、翘曲的问题越显著；氧化工艺一直是碳化硅工艺中的核心难点，8英寸、6英寸对气流和温场的控制有不同需求，工艺需各自独立开发。”
显然，SiC向更大晶圆面积发展的路并不好走，在这一点上，从SiC从4英寸走向6英寸的过程中便可略窥一二——据 Yole 预测数据显示，2020 年4英寸SiC晶圆接近 10 万片，而 6英寸晶圆市场需求已超过8万片，预计将在2030年逐步超越4英寸晶圆。
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