1. 准备阶段:将涂有光刻胶的硅片放置于等离子体反应腔中,并对腔体进行抽真空,以去除空气中的杂质。
2. 气体引入:根据所需去除光刻胶的特性,选择适当的气体(如氧气、氩气、氟气等)引入反应腔。这些气体在等离子体中会产生不同的化学反应。
3. 等离子体产生:通过射频(RF)功率或微波能量将气体电离,形成等离子体。等离子体的温度和密度可以根据需要进行调节。
4. 去除过程:在等离子体的作用下,光刻胶分子发生降解,生成的小分子气体被抽走,最终实现光刻胶的去除。
5. 后处理:去除光刻胶后,硅片可能需要进一步清洗,以确保表面洁净,适合后续工艺。
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