等离子表面处理去除光刻胶的工艺与设备
文章导读：等离子表面处理是一种去除晶圆表面光刻胶的新型干式清洗方式，本文主要介绍在晶圆表面光刻胶去除上使用的等离子表面处理工艺和对应使用到的设备。
晶圆表面光刻胶去除是晶圆制造过程的其中一个环节，是否去除彻底；是否对表面有损伤等因素，都会影响后续的工艺进行，任何一个小缺陷都可能造成晶圆的整片报废。传统去除光刻胶选用的是湿化学方法，随着工艺制程的不断提高，湿化学方法的缺点愈发显现出来，如反应不能精准控制，清洗不彻底，容易引入杂质等。而作为干式方法的晶圆级封装等离子表面处理可控性强，一致性好，不仅可以彻底去除光刻胶和其他有机物，而且还可以活化和粗化晶圆表面，提高晶圆表面浸润性。
等离子表面处理的工作原理：在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，利用高频源产生的高压交变电场将氧、氩、氢、四氟化碳等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的等离子体，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到等离子表面清洁、活化等目的。如图所示：
普乐斯用于晶圆表面光刻胶去除的设备是晶圆级封装等离子表面处理设备PR240L，可用于晶圆制造中的表面清洁、表面活化、光刻胶去除、植球前清洗等各种工艺。普乐斯从2011年开始涉足半导体行业至今已有8年，在光刻胶去除、打线即W/B前清洗和塑封即Molding前活化等工艺方面积累了较为丰富的等离子表面处理经验，合作客户接近20家，我们正努力成为半导体封装领域的离子表面处理工艺解决方案服务商。等离子表面处理过的样品包括：硅晶圆、玻璃基板、陶瓷基板、IC载板、铜引线框架等。
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